IRF2903Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 340 ֏
от 2 шт. —
1 850 ֏
от 5 шт. —
1 520 ֏
от 6 шт. —
1 450 ֏
1 шт.
на сумму 2 340 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
IRF2903 Series 30V 75A 290W 2.4mOhm Single N-Channel MOSFET TO220AB
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6320pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013Warehouse Transfer 29/Jul/2015 |
| PCN Packaging | Package Drawing Update 19/Aug/2015 |
| Power - Max | 290W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 75A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Вес, г | 2.767 |
Техническая документация
Документация
pdf, 296 КБ
Datasheet IRF2903ZPBF
pdf, 287 КБ
