DZT5551

DZT5551
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.357 ֏
от 10 шт.304 ֏
2 шт. на сумму 1 060 ֏
Номенклатурный номер: 8002006991
Бренд: DIODES INC.

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V, Transition Frequency ft:130MHz, Power Dissipation Pd:1W, DC Collector Current:600mA, DC Current Gain hFE:80hFE, No. of Pins:4Pins , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 200 mV
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 30 at 50 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 2500
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current 600 mA
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-223-4
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series DZT5551
Transistor Polarity NPN
Width 3.7 mm
Collector Current (Ic) 600mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 115mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 2W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Collector Emitter Voltage Max 160В
Continuous Collector Current 600мА
DC Current Gain hFE Min 80hFE
Power Dissipation 1Вт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 130МГц
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet
pdf, 149 КБ
Datasheet
pdf, 467 КБ