2SA1312-BL(TE85L.F)
11 шт. с центрального склада, срок 3 недели
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Электроэлемент
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 350 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Вес, г | 0.019 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
