IRF2903ZS
![IRF2903ZS](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 690 ֏
от 2 шт. —
2 250 ֏
от 5 шт. —
1 910 ֏
от 10 шт. —
1 770 ֏
1 шт.
на сумму 2 690 ֏
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 235 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.4@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 231000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Process Technology | HEXFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 160 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 160@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 6320@25V |
Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
IRF2903Z datasheet
pdf, 426 КБ