BF998
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
307 ֏
от 10 шт. —
232 ֏
от 100 шт. —
157 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Электроэлемент
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Gate |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Height | 1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 30 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-143 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | RF MOSFET Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | BF998 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | RF Small Signal MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V to 12 V |
| Width | 1.3 mm |
| Вес, г | 10 |
