IRL540S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 700 ֏
от 2 шт. —
3 170 ֏
от 5 шт. —
2 810 ֏
от 10 шт. —
2 630 ֏
1 шт.
на сумму 3 700 ֏
Описание
Электроэлемент
N CHANNEL MOSFET, 100V, 28A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:28A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):77mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:5V, Threshold Voltage Vgs:2V, Product Range:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 64 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Base Product Number | IRL540 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 77@5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 64(Max)@5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Typical Fall Time (ns) | 80 |
| Typical Rise Time (ns) | 170 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Вес, г | 2.55 |
Техническая документация
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 305 КБ
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 313 КБ
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 273 КБ
Документация
pdf, 295 КБ
