FMMT558
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
317 ֏
от 10 шт. —
251 ֏
от 100 шт. —
201 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-150mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-200mV; Continuous Collector Current Ic Max:150mA; Current Ic Continuous a Max:150mA; Current Ic hFE:50mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:558; Tape Width:8mm; Voltage Vcbo:400V
Технические параметры
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@6mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@50mA, 10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Collector Emitter Voltage Max | 400В |
| Continuous Collector Current | 150мА |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Вес, г | 0.033 |
