FZT651
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
383 ֏
от 10 шт. —
295 ֏
от 100 шт. —
214 ֏
2 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:175MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.43 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 175 MHz |
| Height | 1.65 mm(Max) |
| Length | 6.7 mm(Max) |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | FZT651 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Width | 3.7 mm(Max) |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 175 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| Длина | 6.55мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 3.55мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.65мм |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Размеры | 1.65 x 6.55 x 3.55мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
| Base Product Number | FZT651 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Power - Max | 2W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Диапазон рабочих температур, оС | -55…150 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 100 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 175 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 495 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT651TA
pdf, 500 КБ
Datasheet FZT651TA
pdf, 335 КБ
