BSC360N15NS3GATMA1
![Фото 1/2 BSC360N15NS3GATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/893/DOC002893660.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/104/DOC044104176.jpg)
2 540 ֏
от 2 шт. —
2 090 ֏
от 5 шт. —
1 760 ֏
от 10 шт. —
1 630 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 540 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 150V, 33A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
Power Dissipation | 74Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
Непрерывный Ток Стока | 33А |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 570 КБ