IPB042N10N3GATMA1
![Фото 1/2 IPB042N10N3GATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC038220279.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/828/DOC044828123.jpg)
2 360 ֏
от 2 шт. —
1 920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPB042N10N3GATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD-монтажа. Этот транзистор отличается током стока в 100 А и напряжением сток-исток в 100 В, что обеспечивает его применение в различных сферах мощной электроники. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0042 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Мощность транзистора достигает 214 Вт, что позволяет использовать его в высоконагруженных электрических цепях. Корпус PG-TO263-3 обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Приобретите IPB042N10N3GATMA1 для уверенной работы ваших электронных проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 100 |
Напряжение сток-исток, В | 100 |
Мощность, Вт | 214 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0042 |
Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 137 A |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | PG-TO252-3 |
Вес, г | 2.1 |
Техническая документация
Datasheet IPB042N10N3G
pdf, 976 КБ