IPD50P04P413ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 600 ֏
от 2 шт. —
5 100 ֏
от 5 шт. —
4 580 ֏
от 8 шт. —
4 390 ֏
1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P CH, -40V, -50A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.6 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 58 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS P |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IPD50P04P413ATMA1
pdf, 148 КБ
Datasheet IPD50P04P413ATMA2
pdf, 413 КБ
