IRF1010NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 120 ֏
от 2 шт. —
1 680 ֏
от 5 шт. —
1 340 ֏
от 10 шт. —
1 220 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:85A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.011ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRF1010NSPBF Datasheet
pdf, 292 КБ
Документация
pdf, 301 КБ