IRF530S
![Фото 1/6 IRF530S](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC006071625.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/170/DOC004170911.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC026190682.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/122/DOC036122704.jpg)
1 100 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
840 ֏
от 10 шт. —
700 ֏
от 50 шт. —
620 ֏
2 шт.
на сумму 2 200 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; D2PAK
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 88W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 88 W |
Qg - заряд затвора | 26 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 24 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 670 25V |
Typical Rise Time (ns) | 34 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Вес, г | 2.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 178 КБ
Datasheet IRF530SPBF
pdf, 174 КБ
Datasheet IRF530SPBF
pdf, 170 КБ
Datasheet IRF530SPBF
pdf, 219 КБ
Документация
pdf, 174 КБ