IRF620S
![Фото 1/3 IRF620S](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC024330396.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC026190696.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
2 640 ֏
1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation P
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260I300 |
Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
RDS-on | 800@10V mOhm |
Typical Fall Time | 13 ns |
Typical Rise Time | 22 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7.2 ns |
Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Base Product Number | IRF620 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.2A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tube |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 50W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.1A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 140 КБ
Datasheet IRF620SPBF
pdf, 136 КБ
Datasheet IRF620SPBF
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 138 КБ