IRF820AS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 250 ֏
1 шт.
на сумму 2 250 ֏
Описание
Электроэлемент
Single N-Channel 500 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.5 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3000@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 50000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | Single |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 17(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 17(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 340@25V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Вес, г | 1.438 |
