IRF9630
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
660 ֏
от 10 шт. —
550 ֏
от 50 шт. —
471 ֏
2 шт.
на сумму 1 860 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 200В 6,5A 74Вт 0,8Ом TO220AB
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.5A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 74 W |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 24 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 800 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2.689 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 282 КБ
Datasheet IRF9630PBF
pdf, 284 КБ
IRF9630PBF Datasheet
pdf, 3586 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF9630
pdf, 153 КБ
