IRFI740G
![Фото 1/5 IRFI740G](https://static.chipdip.ru/lib/625/DOC044625337.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/168/DOC004168102.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/129/DOC035129763.jpg)
2 980 ֏
от 2 шт. —
2 490 ֏
от 5 шт. —
2 150 ֏
от 10 шт. —
1 990 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 980 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRFI740GPBF от производителя VISHAY является надежным компонентом для использования в силовой электронике. Монтаж через отверстия (THT) облегчает интеграцию в печатные платы. С током стока 5,4 А и напряжением сток-исток 400 В, этот N-MOSFET транзистор отличается высокой эффективностью. Мощность устройства составляет 40 Вт, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,55 Ом свидетельствует о низких потерях мощности. Корпус TO220F обеспечивает хороший теплоотвод и устойчивость к механическим воздействиям. Надежность и долговечность делают IRFI740GPBF важным элементом в схемах управления и коммутации. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 5.4 |
Напряжение сток-исток, В | 400 |
Мощность, Вт | 40 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.55 |
Корпус | TO220F |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.4A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 40W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.2A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Qg - заряд затвора | 66 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 24 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.6 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFI |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 54 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220FP |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 24 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 66(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 66(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1370 25V |
Typical Rise Time (ns) | 25 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 54 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-220FP |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 893 КБ
Datasheet
pdf, 843 КБ
Datasheet IRFI740GPBF
pdf, 848 КБ
Документация
pdf, 845 КБ