IRG4BC20FD
![Фото 1/2 IRG4BC20FD](https://static.chipdip.ru/lib/773/DOC002773299.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728225.jpg)
1 940 ֏
от 2 шт. —
1 500 ֏
от 5 шт. —
1 150 ֏
от 10 шт. —
1 050 ֏
1 шт.
на сумму 1 940 ֏
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz
Технические параметры
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 64A |
Design Resources | IRG4BC20FD Saber ModelIRG4BC20FD Spice Model |
Family | IGBTs-Single |
Gate Charge | 27nC |
Input Type | Standard |
Mounting Type | Through Hole |
Other Names | *IRG4BC20FDPBF |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Power - Max | 60W |
Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Switching Energy | 250µJ(on), 640µJ(off) |
Td (on/off) @ 25°C | 43ns/240ns |
Test Condition | 480V, 9A, 50 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 9A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Вес, г | 2.5 |