IRG4PC50U
![Фото 1/2 IRG4PC50U](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210818.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
23 100 ֏
от 2 шт. —
22 000 ֏
от 3 шт. —
21 300 ֏
1 шт.
на сумму 23 100 ֏
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 55 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 27 A |
Factory Pack Quantity | 25 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Height | 20.7 mm(Max) |
Length | 15.87 mm(Max) |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 200 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Width | 5.31 mm(Max) |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IRG4PC50U Datasheet
pdf, 147 КБ