IRG4PF50W
![Фото 1/3 IRG4PF50W](https://static.chipdip.ru/lib/205/DOC001205895.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/734/DOC034734795.jpg)
12 100 ֏
от 2 шт. —
11 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 100 ֏
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz
Технические параметры
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Collector (Ic) (Max) | 51A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 204A |
Design Resources | IRG4PF50WPBF Saber ModelIRG4PF50WPBF Spice Model |
Family | IGBTs-Single |
Gate Charge | 160nC |
IGBT Type | - |
Input Type | Standard |
Mounting Type | Through Hole |
Online Catalog | Standard IGBTs |
Other Names | *IRG4PF50WPBF |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Bulk |
Power - Max | 200W |
Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Series | - |
Standard Package | 25 |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Switching Energy | 190µJ(on), 1.06mJ(off) |
Td (on/off) @ 25°C | 29ns/110ns |
Test Condition | 720V, 28A, 5 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IRG4PF50WPBF
pdf, 648 КБ