IRL630S
![IRL630S](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516338.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 260 ֏
от 2 шт. —
2 780 ֏
от 5 шт. —
2 400 ֏
от 10 шт. —
2 230 ֏
1 шт.
на сумму 3 260 ֏
Описание
Электроэлемент
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 400@5V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??10 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 3100 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Pin Count | 3 |
Process Technology | Single |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 40(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 40(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1100@25V |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Документация
pdf, 243 КБ
Документация
pdf, 219 КБ