IRL640S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 860 ֏
от 2 шт. —
2 380 ֏
от 5 шт. —
2 020 ֏
от 10 шт. —
1 870 ֏
1 шт.
на сумму 2 860 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 11А, 125Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 52 ns |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263AB-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
| Rise Time | 83 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Width | 9.65 mm |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 993 КБ
Документация
pdf, 1012 КБ
