IRLZ14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
540 ֏
от 10 шт. —
423 ֏
от 50 шт. —
351 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRLZ14PBF от известного производителя VISHAY - это высокопроизводительный компонент для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 7,2 А и напряжением сток-исток в 60 В, этот N-MOSFET является идеальным решением для различных силовых применений. Мощность транзистора достигает 43 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,2 Ом обеспечивает эффективную работу устройства. Корпус TO220 гарантирует удобство установки и надежность использования. Используя IRLZ14PBF в вашем проекте, вы получите надежный и долговечный компонент с отличными характеристиками. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 7.2 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 43 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.2 |
| Корпус | TO220 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.4(Max)@5V |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 6(Max) |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.5(Max) |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 340 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 400@25V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 170 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Typical Fall Time (ns) | 26 |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 4.7(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 110 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRLZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Base Product Number | IRLZ14 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1038 КБ
Datasheet
pdf, 1016 КБ
Datasheet IRLZ14PBF
pdf, 1159 КБ
Datasheet IRLZ14PBF
pdf, 1160 КБ
Документация
pdf, 1159 КБ
