IRFR420TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом

Фото 1/2 IRFR420TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
423 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 115 ֏
Номенклатурный номер: 8002032842

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом

Технические параметры

Корпус DPAK/TO-252AA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 500
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 25
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 16
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 19(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 19(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 360@25V
Typical Rise Time (ns) 8.6
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 33
Typical Turn-On Delay Time (ns) 8
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1255 КБ