BC856BW
![BC856BW](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
423 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
185 ֏
от 10 шт. —
110 ֏
от 100 шт. —
41 ֏
2 шт.
на сумму 846 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:290hFE;
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Collector Emitter Voltage Max | 65В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 290hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Частота Перехода ft | 200МГц |
Вес, г | 0.484 |