CSD16342Q5A, Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
![CSD16342Q5A, Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531185.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
432 ֏
от 10000 шт. —
418 ֏
2500 шт.
на сумму 1 100 000 ֏
Описание
МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 6 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD16342Q5A |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSONP-8 |
Ширина | 4.9 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet CSD16342Q5A
pdf, 2229 КБ