AS4C32M16D1A-5TIN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 700 ֏
от 2 шт. —
8 000 ֏
от 3 шт. —
7 600 ֏
1 шт.
на сумму 8 700 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Микросхема памяти AS4C32M16D1A-5TIN от производителя ALLIANCE MEMORY — это высококачественный DDR1 SDRAM компонент, предназначенный для SMD монтажа. С частотой 200 МГц и объемом памяти 512Мбит, этот модуль обеспечивает надежное хранение данных при минимальном и максимальном напряжении питания 2,5 В. Упакованный в компактный корпус TSOP66, он идеально подходит для различных областей применения, требующих высокой производительности и небольшого энергопотребления. Код товара AS4C32M16D1A5TIN подчеркивает его уникальность и облегчает поиск среди аналогов. Характеристики | Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | SDRAM, DDR1 |
| Монтаж | SMD |
| Частота, МГц | 200 |
| Объем памяти | 512Мбит |
| Мин.напряжение питания, В | 2.5 |
| Макс.напряжение питания, В | 2.5 |
| Корпус | TSOP66 |
Технические параметры
| Access Time | 700ps |
| Clock Frequency | 200MHz |
| Manufacturer | Alliance Memory, Inc. |
| Memory Format | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 512Mb(32M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C(TA) |
| Package / Case | 66-TSSOP(0.400", 10.16mm Width) |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Supplier Device Package | 66-TSOP II |
| Technology | SDRAM-DDR |
| Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0024 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Package | Tray |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1448 КБ
