IRFR110
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
670 ֏
от 10 шт. —
550 ֏
от 100 шт. —
453 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 780 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, . 100В 4,7A 25Вт TO252AA Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.3A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRFR110 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 762 КБ
Datasheet
pdf, 754 КБ
Datasheet IRFR110PBF
pdf, 772 КБ
Документация
pdf, 742 КБ
