TK100E10N1,S1X(S, Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24750 шт., срок 6-8 недель
1 830 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 183 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 207 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 255 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 4.45mm |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
