CSD13380F3, Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
62 ֏
от 24000 шт. —
58 ֏
3000 шт.
на сумму 225 000 ֏
Описание
FemtoFET Power MOSFET
Texas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Texas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
| Brand | Texas Instruments |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Fall Time | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.3 S |
| Height | 0.35 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Length | 0.73 mm |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | Picostar-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms |
| Rise Time | 4 ns |
| Series | CSD13380F3 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 550 mV |
| Width | 0.64 mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 9000 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4.3 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 76 mOhms |
| Rise Time: | 4 ns |
| Series: | CSD13380F3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 550 mV |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet CSD13380F3T
pdf, 1137 КБ
