IXBT16N170A, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 100 ֏
от 3 шт. —
16 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO268 |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 65nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 370ns |
| Turn-on time | 43ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 98 КБ
