IXFK80N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 80А, 890Вт, TO264P, 200нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 600 ֏
от 3 шт. —
20 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 25 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO264P |
| Drain current | 80A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Gate charge | 140nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 38mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 890W |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 9.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 212 КБ
