IXBT2N250, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 2,5кВ, 2А, 32Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 400 ֏
от 3 шт. —
19 000 ֏
от 10 шт. —
17 000 ֏
1 шт.
на сумму 22 400 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 2,5кВ, 2А, 32Вт, TO268 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 13A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 10.6nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Power - Max | 32W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 920ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | BIMOSFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2500V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
