SI4497DY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -29А, 5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 320 ֏

от 5 шт. — 1 870 ֏

от 25 шт. — 1 470 ֏

от 100 шт. — 1 240 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 320 ֏

Номенклатурный номер: 8002505548

МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs SO-8

Id - непрерывный ток утечки	36 A
Pd - рассеивание мощности	7.8 W
Qg - заряд затвора	285 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13 ns
Время спада	25 ns
Другие названия товара №	SI4497DY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	75 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	115 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SO-8
Вес, г	0.19