IXGH20N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 3 шт. —
6 200 ֏
от 10 шт. —
5 300 ֏
от 30 шт. —
4 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IXGH20N120A3 от известного производителя IXYS представляет собой высокомощный компонент для эффективного управления электрическими нагрузками. Этот IGBT транзистор, выполненный в надежном корпусе TO247, предназначен для монтажа в отверстия на печатной плате (THT). С током коллектора до 20 А и способностью выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В, он идеально подходит для задач, требующих высокой мощности до 180 Вт. Транзистор IXGH20N120A3 станет надежным решением для сложных электронных схем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Мощность, Вт | 180 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 20A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 50nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 180W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Technology | GenX3™, PT |
| Turn-off time | 1.53µs |
| Turn-on time | 66ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 21.46 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Длина | 16.26 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 120 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGH20N120 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| Вес, г | 6.13 |
