IXGH10N170A, Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 5А, 140Вт, TO247-3
![Фото 1/2 IXGH10N170A, Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 5А, 140Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
9 600 ֏
от 3 шт. —
7 600 ֏
от 10 шт. —
6 200 ֏
от 30 шт. —
5 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 5А, 140Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 5A |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Gate charge | 29nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 140W |
Pulsed collector current | 20A |
Technology | NPT |
Turn-off time | 240ns |
Turn-on time | 107ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 606 КБ