IXTP160N10T, Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 100В, 160А, 430Вт, TО220АВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 490 ֏
от 10 шт. —
3 160 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 490 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 100В, 160А, 430Вт, TО220АВ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 160A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 132nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 7mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 430W |
| Reverse recovery time | 60ns |
| Technology | Trench™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
