IXTR210P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -195А, 390Вт, 200нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 000 ֏
от 3 шт. —
30 200 ֏
от 10 шт. —
26 900 ֏
от 30 шт. —
23 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -195А, 390Вт, 200нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | ISOPLUS247™ |
| Drain current | -195A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Gate charge | 740nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 8mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 390W |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 4.83 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 196 КБ
