IXTY4N65X2, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 4А, 80Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 360 ֏
от 5 шт. —
1 920 ֏
от 20 шт. —
1 520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 4А, 80Вт, TO252 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | 4A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 8.3nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 850mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 80W |
| Reverse recovery time | 160ns |
| Technology | X2-Class |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
IXT_4N65X2
pdf, 257 КБ
