UF3C065030K3S, Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7 недель
53 400 ֏
1 шт.
на сумму 53 400 ֏
Номенклатурный номер: 8002517883
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
UF3C SiC FETsUnitedSiC / Qorvo UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D 2 PAK-3, D 2 PAK-7, D 2 PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 62A |
Drain-source voltage | 650V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate charge | 51nC |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of transistor | cascode |
Manufacturer | Qorvo(UnitedSiC) |
Mounting | THT |
On-state resistance | 27mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 441W |
Pulsed drain current | 230A |
Technology | SiC |
Type of transistor | N-JFET/N-MOSFET |
Brand: | Qorvo |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 441 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 51 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
Series: | UF3C |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | SiC |
Tradename: | SiC FET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 6.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 357 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг