SPP80P06PHXKSA1, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 80A 340Вт 0,023Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 600 ֏
от 3 шт. —
4 980 ֏
от 10 шт. —
3 860 ֏
1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой SPP80P06PHXKSA1 от производителя INFINEON – это надежный N-MOSFET компонент, ориентированный на монтаж THT. Способный выдержать ток стока до 80А и напряжение сток-исток 60В, он идеален для задач с высокой нагрузкой. С мощностью в 340Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,023 Ом, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность. Корпус PG-TO220-3 гарантирует удобство установки. Используйте SPP80P06PHXKSA1 для повышения производительности ваших электронных схем. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 80 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 340 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.023 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.6V |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 340 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | SIPMOS |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
Width | 4.57mm |
Вес, г | 2.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SPP80P06PHXKSA1
pdf, 606 КБ