IXFN26N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 23А, SOT227B, Ugs ±40В, 695Вт
![Фото 1/2 IXFN26N120P, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 23А, SOT227B, Ugs ±40В, 695Вт](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744356.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC004012708.jpg)
68 700 ֏
от 3 шт. —
60 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 68 700 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 23А, SOT227B, Ugs ±40В, 695Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вес, г | 37.12 |