T2N7002BK, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,4А, Idm: 1,2А, 320мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3700 шт., срок 8 недель

80 ֏

Мин. кол-во для заказа 20 шт.

Кратность заказа 5 шт.

20 шт. на сумму 1 600 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8002525854

Бренд: Toshiba

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,4А, Idm: 1,2А, 320мВт, SOT23 Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.1V
Maximum Continuous Drain Current	400 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.75 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Typical Gate Charge @ Vgs	0.39 nC @ 4.5 V
Width	1.3mm
Continuous Drain Current	0.4(A)
Drain-Source On-Volt	60(V)
Gate-Source Voltage (Max)	'±20(V)
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Packaging	Tape and Reel
Polarity	N
Power Dissipation	1(W)
Rad Hardened	No
Type	Small Signal
Вес, г	0.019