SKM400GAL12E4, Транзистор БТИЗ, 12кВ, 618А, SEмITrans3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8 недель
187 000 ֏
от 3 шт. —
172 000 ֏
от 8 шт. —
150 000 ֏
1 шт.
на сумму 187 000 ֏
Описание
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
Технические параметры
| Application | for UPS, frequency changer, Inverter, photovoltaics |
| Case | SEMITRANS3 |
| Collector current | 324A |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 900A |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Type of module | IGBT |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 618 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS3 |
| Pin Count | 5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 303.2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
