TK100A06N1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 263А, 45Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
615 шт., срок 7 недель
2 890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 890 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 263А, 45Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220SIS |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вес, г | 1.55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK100A06N1,S4X(S
pdf, 230 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
