IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 200 ֏
от 3 шт. —
25 200 ֏
от 10 шт. —
23 400 ֏
1 шт.
на сумму 31 200 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Вес, г | 4.09 |