IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268

Фото 1/2 IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 200 ֏
от 3 шт.25 200 ֏
от 10 шт.23 400 ֏
1 шт. на сумму 31 200 ֏
Номенклатурный номер: 8002533527
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Вес, г 4.09