IXFK64N60P3, Транзистор N-MOSFET, Polar3™, полевой, 600В, 64А, 1130Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 100 ֏
от 3 шт. —
14 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 100 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, Polar3™, полевой, 600В, 64А, 1130Вт, TO264 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 64 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.13 kW |
| Qg - заряд затвора | 145 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 95 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S, 36 S |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXFK64N60 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.13 kW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-264 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Width | 5.13mm |
| Вес, г | 9.78 |
