LGE2301, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2755 шт., срок 8 недель
76 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
54 ֏
от 500 шт. —
41 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 1 520 ֏
Номенклатурный номер: 8002538585
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1Вт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Drain current | -3A |
| Drain-source voltage | -20V |
| Gate charge | 12nC |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | LUGUANG ELECTRONIC |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.14Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 778 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
