IXTQ10P50P, Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -10А, 300Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 600 ֏
от 3 шт. —
6 500 ֏
от 10 шт. —
5 200 ֏
от 30 шт. —
4 370 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -10А, 300Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | -10A |
| Drain-source voltage | -500V |
| Gate charge | 50nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 1Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 300W |
| Reverse recovery time | 414ns |
| Technology | PolarP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 5.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ
