IXTA44P15T, Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -44А, 298Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 500 ֏
от 3 шт. —
5 600 ֏
от 10 шт. —
4 410 ֏
от 50 шт. —
3 750 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 500 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -44А, 298Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | -44A |
| Drain-source voltage | -150V |
| Gate charge | 175nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 298W |
| Reverse recovery time | 140ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 235 КБ
